Поиск веб-страниц
Результаты поиска для: Производства нитрид галлиевой ячейки

Благодаря разработанной компанией EPC технологии производства нитрид-галлиевой ячейки стало возможным наладить выпуск нормально-закрытых изделий. Перспективные приложения для eGaN®FET – DC/DC-преобразователи для различных приложений, усилители мощности...

Ростех запустил производство нитрид-галлиевых (GaN) транзисторов для создания сетей связи 5G, квадрокоптеров и новых РЛС.

Нитриды галлия постепенно приходят на смену арсениду галлия: они позволяют получать более мощные приборы СВЧ-диапазона, работающие при более высоких температурах. До сегодняшнего дня в нашей стране создавались приборы нитрида галлия на кремнии...

Тем не менее, нитрид-галлиевые транзисторы долгое время не были реализованы в серийном производстве. Причиной этого были в основном технологические факторы, связанные со сложностью получения нитрид-галлиевых структур. Кроме того, базовая ячейка...

Нитрид-галлиевые транзисторы компании VisIC Technologies. Чтобы снизить стоимость и

Нитрид галлия (GaN) — это бинарное соединение элементов III и V групп, которое представляет собой прямозонный полупроводник с широкой запрещенной зоной. GaN обеспечивает превосходную эффективность и широкую полосу рабочих частот и уже заслужил признание в...

Нитрид галлия как один из перспективных материалов в современной оптоэлектронике.

Нитрид галлия — премьер среди новых материалов полупроводниковой микроэлектроники.

В России исследования и разработки эпитак-сиальных структур нитрида галлия и транзисторов на их основе проводятся рядом предприятий и

Укладка нитрида галлия на подложках из разных материалов только усугубляет проблему, потому что структуры решетки обычно не выравниваются. Вот почему расширение понимания того, как образуются дефекты нитрида галлия на атомном уровне...

Нитрид галлия только начинает отвоевывать рынок силовой электроники у кремния, но тем не менее мощные GaN-транзисторы не только у всех "на слуху"

Разработка технологии производства раствор-расплавного монокристаллического нитрида галлия. О жизненной необходимости перехода осветительных систем на полупроводниковые технологии говорится в последнее время не мало и в мире и у нас в России.

Нитрид галлия (GaN) — это основной материал из рассмотренного класса материалов, и он обычно используется во всех приборных слоях, требующих быстрого переноса носителей заряда и высокого напряжения пробоя. GaN ис-пользуется как материал канала в различных полевых...

Нитрид галлия и карбид кремния уже достаточно давно рассматриваются в качестве альтернативных материалов, способных заменить кремний в силовой электронике. Транзисторы на основе таких материалов имеют меньше время включения и выключения, они могут...

газофазного химического синтеза нитрида галлия из. В.И.Таций, З.И.Маковей, Е.Е.Якимов. металлического галлия и хлорида аммония.

4.1. Сферические нанокристаллы нитрида галлия в широкозонных диэлектрических матрицах: вводные замечания

Нитрид галлия (GaN) - перспективный полупроводниковый материал для электронной промышленности, в частности для производства белых, синих и ультрафиолетовых светодиодов, лазеров, ультрафиолетовых датчиков, силовой и высокочастотной электроники.

Нитрид галлия (GaN). Гетероструктуры GaN и его твердые растворы обладают физическими свойствами, которые обеспечивают электронным приборам, выполненным на их основе, высокие оптические, мощностные и частотные характеристики, что позволяет применять их в разных...

Нитрид галлия является подходящим кандидатом на материал для высокотемпературной электроники из-за большой ширины его запрещенной

Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ...

Нитрид галлия обычно получают эпитаксиальным ростом из газовой фазы; в качестве источника азота.

Преимущество нитрида галлия состоит в возможности его изготовления на тех же заводах

Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN.

Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота.

Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN.

Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита.

Нитрид галлия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K).

в нитриде галлия методами МОГФЭ и МЛЭ составляют 108-1010 см-2. Для решения технологических и конструктивных вопросов.

Производство галлия в мире в целом в 2010 году, согласно оценкам, было приблизительно 201-212 тонн. Данное обстоятельство наглядно демонстрирует высокую степень вторичного восстановления металла, а также излишние мощности по производству/обработке в...

Способ изготовления мощного нитрид-галлиевого полевого транзистора.

Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств.

Технология «нитрид галлия на кремнии» (GaN-on-Si) развивается в качестве недорогой альтернативы уже существующим методам производства электронных компонентов. Технологии на основе кремния в силовых компонентах и на основе сапфира в светодиодных...

Благодаря разработанной компанией EPC технологии производства нитрид-галлиевой ячейки стало возможным наладить выпуск нормально-закрытых изделий. Для быстрого бесплатного скачивания можно сразу перейти в нужный раздел Библиотеки. Поиск по книгам, журналам и...

Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN.

Компьютерное моделирование нанопленок нитрида галлия Объектом компьютерного моделирования являлись геометрические модели свободных нанопленок GaN в гексагональной (типа вюрцита) и кубической (типа сфалерита) структурах, содержащих от 240 до 15360 атомов.

Большая ширина запрещенной зоны нитрида галлия и возможность изменять эту величину для системы твердых растворов на его ос-нове позволяют использовать нитриды для создания оптоэлектронных приборов в диапазоне длин волн от видимой до глубокой ультрафиолетовой...

Смогут ли приборы на нитриде галлия достигнуть уровня серийного производства и найти применение в высокотемпературной электронике, частично заменив устройства на арсениде галлия и мощные вакуумные приборы?

верхвысокочастотные транзисторы выполнены по современной нитрид-галлиевой технологии (GaN). Они обеспечивают высокую мощность, стойкость аппаратуры к космической радиации и другим внешним воздействиям, стабильную работу при температурах от –60 до +125 °С.

В дальнейшем использование слоев нитрида галлия для формирования p+n--перехода на высокоомной подложке кремния позволит значительно увеличить пробивное напряжение и обеспечить требуемые СВЧ характеристики pin диодов, а для снижения прямого напряжения...

Нитрид - галлий. Cтраница 3. Сплавы нитрида алюминия с нитридом галлия рассматриваются в [64, 65, 70] как эффективные полупроводниковые материалы для изготовления излучателей и детекторов высокотемпературной электроники. Отмечается, что GaAlN-сплав ( с шириной...

Изобретение относится к способу изготовления высококачественных пластин нитрида галлия эпитаксиальным выращиванием с низкой плотностью дислокации на подложке и отделением от исходной подложки, а также к полупроводниковым пластинам, имеющим кристалл GaN.

Также нитрид галлия применяется при производстве белых светодиодов, на которых построены современные светотехнические устройства. Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Компоненты и...